一、LED芯片构造
LED芯片是半导体发光器件LED的核心部件,它主要有砷(AS)、铝(AL)、镓(Ga)、铟(IN)、磷(P)、氮(N)、锶(Sr)这几种元素中的若干种组成。法国二极管芯片制作方法和材料的磊晶种类:
◆LPE: Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法)GaP/GaP;
◆VPE: Vapor Phase Epitaxy(气相磊晶法)GaAsP/GaAs;
◆MOVPE: Metal Organic Vapor Phase
Epitaxy(有机金属气相磊晶法)AlGaInP/GaN;
◆SH: Single Heterostructure(单异型结构)GaAlAs/GaAs;
◆DH: Double Heterostructure(双异型结构)GaAlAs/GaAs;
不同LED芯片,其结构大同小异,有基板(蓝宝石基板、碳化硅基板等)和掺杂的外延半导体材料及透明金属电极等构成。
1、 LED单电极芯片;
2、 LED双电机芯片;
3、
LED的晶粒种类简介:不同材料晶粒,具有不同带隙,即具有不同发光波长;
4、 LED衬底材料的种类:蓝宝石(Al2O3)、硅(Si)、碳化硅(SiC);
1)蓝宝石衬底有许多优点及缺点:
a.生产技术成熟、器件质量较好;
b.稳定性很好,能运用在高温生长过程中;
c.机械强度高,易于处理和清洗;
d.晶格失配和热应力失配,会在外延层中产生大量缺陷,同时给后续的器件加工工艺造成困难;
e.常温电阻率较大,无法制作垂直结构的器件,通常只在外延层上表面制作电极;
f.硬度非常高,减薄和切割较困难;导热性能不是很好。
2)硅衬底
目前有部分LED芯片采用硅衬底。硅衬底的芯片电极可采用两种接触方式,分别是L接触(Laterial-contact,水平接触)和V接触(Vertical-contact,垂直接触)。
3)碳化硅衬底
碳化硅衬底的LED芯片电极是L型电极,电流是纵向流动的,采用这种衬底制作的器件的导电和导热性能都非常好,有利于做成面积较大的大功率器件,但是相对于蓝宝石衬底而言,碳化硅制造成本较高,实现商业化还需要降低相应的成本。
4)三种衬底的性能比较:
衬底材料 |
导热系数 |
膨胀系数 |
稳定性 |
导热性 |
成本 |
抗静电能力 |
蓝宝石 |
46 |
1.9 |
一般 |
差 |
中 |
一般 |
硅 |
150 |
5~20 |
良 |
好 |
低 |
好 |
碳化硅 |
490 |
-1.4 |
良 |
好 |
高 |
好 |
5、 LED芯片的制作流程:
1)光刻—等离子体蚀刻GaN—扩散和键合—镀金—晶圆芯片—抛光—检验—划片—崩裂—晶粒;
2)磊晶加热—干式蚀刻分离—透明层—p电极连接—n电极连接—测量—衬底研磨—划片—封装;
6、制作LED垒芯片方法的比较;
7、常用芯片见图:
1)单电极芯片:
a.圆电极芯片
b.方电极芯片;
c.带角电极芯片;
2)双电极芯片
二、Lamp—LED支架介绍
支架的作用:用来导电和支撑晶片;
支架的组成:一般来说是由支架素材经过电镀而形成,由里到外是素材、铜、镍、铜、银这五层;
1、Lamp—LED支架结构与相关尺寸
1)、LED支架图;
2)、LED支架说明;
3)、尺寸说明;
4)、LED支架材质;
5)、支架电镀知识;
6)、支架管控相关条件;
2、常用支架外观图集
3、LED支架进料检验内容:
数量短少、混料、生锈变色、镀层起泡脱落、弯曲变形、支架扇形弯曲、支架倾斜、支架压伤、支架刮伤、碗口变形、凹凸不平、阴阳极变形、冲压不良、电镀不均、支架污染、支架烧焦、碗底粗糙、脚弯曲、支架粗糙、银残留、支架弯头、支架毛边、支架异物(脚及下Bar发白)、支架电镀过薄、烘烤检验、焊线耐热试验。