发光二极管在固态照明工程中占有重要的地位，在未来5－10年将逐步取代传统的照明灯具，成为节能、环保的新型光源。与传统的光源（白炽灯，日光灯，卤素灯等）相比，发光二极管光源具有许多优点，如长寿命，体积小，低功耗，低环境污染，高电光转换效率，适用性好和使用安全等。随着GaN基III-
V族化合物技术的发展和蓝光led的实现，人们已经可以获得实现白光的三基色发光二极管。通常情况下，获得白光发光二极管的方法有：1）蓝光发光二极管+
黄色荧光粉；2）多芯片组合，即将红，绿，蓝三个管芯结合在一起；3）光子循环实现白光发光方式；4）同一衬底上生长不同发光波长量子阱方式。但是上述几种获得白光的方式技术复杂、制作成本高、存在很多需要克服的困难，因此人们一直致力于实现能够避开这些问题的单芯片白光发光器件，并从理论上预言这种器件的可行性。然而，尽管GaN基的蓝、绿光发光二极管的技术日益成熟和商品化，实现单芯片白光发光成为科学家的梦想。2006年，物理所陈弘研究组采用InGaN的应力调制层，实现了对InGaN/GaN多量子阱的应力调制和控制，成功研制出单芯片白光发光器件。此方法不需要荧光粉，也不需要增加复杂的控制电路，制备过程与普通发光二极管相似。在常规的注入电流下（20mA－60mA），白光的显色指数几乎不变。图1展示了不同注入电流下发光颜色的变化。图2展示了InGaN/GaN有源区的截面电镜像。
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